近日由沈陽(yáng)市科技局成果處主持旋轉(zhuǎn)壓實(shí)儀，在沈陽(yáng)儀表科學(xué)院召開了三項(xiàng)科研項(xiàng)目的科技成果鑒定會(huì)議瀝青含量測(cè)定儀。對(duì)科技部十一五支撐計(jì)劃項(xiàng)目“傳感器測(cè)試關(guān)鍵共性技術(shù)研究”、科技部科研院所技術(shù)開發(fā)研究專項(xiàng)資金項(xiàng)目“瀝青含量測(cè)定儀光密度連續(xù)變化濾光器件”、“SOI壓力傳感器制造工藝研究”進(jìn)行了科技成果鑒定。專家組認(rèn)真審閱了資料，絕熱溫升聽取了項(xiàng)目組的詳細(xì)匯報(bào)，考察了研制現(xiàn)場(chǎng)及實(shí)物，經(jīng)過(guò)質(zhì)詢和評(píng)議一致認(rèn)為：
“熱物理參數(shù)測(cè)定儀傳感器測(cè)試關(guān)鍵共性技術(shù)研究”項(xiàng)目突破了高性能傳感器“無(wú)核密度儀試驗(yàn)裝置高效高壓多波形控制”、“批量檢測(cè)系統(tǒng)弱信號(hào)檢測(cè)”、“可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)”等關(guān)鍵技術(shù)，在硅電容傳感器批量測(cè)試系統(tǒng)的“夾具設(shè)計(jì)”和“補(bǔ)償方法”、傳感器高效高壓試驗(yàn)裝置的“復(fù)合波形控制”等方面具有創(chuàng)新性。成果主要性能指標(biāo)和關(guān)鍵技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，對(duì)推動(dòng)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步，增強(qiáng)產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，具有重要的支撐作用。
“光密度連續(xù)變化濾光器件”項(xiàng)目開展了中性漸變薄膜的設(shè)計(jì)與制造工藝研究，研制出線性度和中性度良好的光密度連續(xù)變化濾光器件，線性度、中性度均達(dá)到±5%。解決了光密度線性漸變薄膜設(shè)計(jì)、中性薄膜鍍制、掩膜機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)及掩膜機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)控制等關(guān)鍵技術(shù)難題，在線性迭代擬合調(diào)速和分段調(diào)速等方面具有創(chuàng)新性。研制開發(fā)的濾光器件，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，并已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，主要性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。
“SOI壓力傳感器制造工藝研究”項(xiàng)目開展了SOI壓力傳感器制造工藝的研究，建起具有自主技術(shù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)支撐的高溫SOI壓力傳感器制造技術(shù)平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)耐高溫SOI壓力傳感器批產(chǎn)工藝的穩(wěn)定性。采用表面摻雜濃度控制方法解決了低漂移技術(shù)難題，使敏感器件的穩(wěn)定性達(dá)到0.005%F.S./8h；采用多層薄膜低應(yīng)力匹配技術(shù)，實(shí)現(xiàn)敏感芯片重復(fù)穩(wěn)定生產(chǎn)；采用Cr–Ni–Au復(fù)合耐高溫電極制備技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了敏感芯片在300℃下穩(wěn)定工作。項(xiàng)目成果填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白，主要性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。鑒定委員會(huì)一致同意三個(gè)項(xiàng)目通過(guò)成果鑒定。
專家組對(duì)沈陽(yáng)儀表科學(xué)研究院項(xiàng)目組織實(shí)施管理給予了較高評(píng)價(jià)，對(duì)項(xiàng)目完成的質(zhì)量給予了充分地肯定，并建議在現(xiàn)有基礎(chǔ)上不斷地發(fā)揮自身優(yōu)勢(shì)，進(jìn)一步推廣應(yīng)用并擴(kuò)展應(yīng)用領(lǐng)域。
